电子束曝光技术及发展概述
电子束曝光（EBL，也称之为电子束光刻）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成断（长）链，实现曝光，相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。...
06-25
微纳光子学研究进展与展望
总体而言，美国、日本、欧盟和中国等国家在微纳光子学领域处于全球第一梯队。加强微纳光子学的成果转化和产业发展将有助于我国在微纳光子学研究和应用方面取得领先地位。...
06-25
基于相变的可重构微纳光学器件研究进展
微纳光学器件具有在亚波长尺度范围内发射、引导、调制、局域、吸收和探测光的能力。与传统的光学器件相比，微纳光学器件具有更小的体积、更高的集成度以及更加丰富的光学功能，展现出更广阔的应用前景和更高的技术价值，现已成为现代集成光学系统中不可或缺的组成部分。...
05-21
华中科技大学光电学院陈云天教授深耕复杂介质光传输
陈云天带领计算物理光学团队围绕复杂介质光传输的光学基础理论和底层数值算法的研究，在复杂介质光传输领域提出了一系列创新性理论和计算方法，为发展跨尺度光学系统的底层算法打下基础，并取得了多项突破...
04-07
图解衍射光学元件(DOE)75年的发展
下面的路线图描绘了从 1948 年到 2023 年衍射光学元件75 年的发展历程，强调了关键的理论和技术突破，同时引用了这次非凡探险中的重要工作。...
02-26
- 政策法规
- 光电知识
- 产权标准
