大功率激光打标机半导体激光器AIGaInP的MOVPE掺杂受到诸多因素的影响。由于Al外层电子不饱和，能带间隙增大，使Zn原子的电离能增大，从而导致更难与被掺杂物原子的结合。而且，由于Al的含量较高，氧原子也会结合进来，导致补偿。另外，2113 P2中Zn的蒸气压远大于213 As2中Zn原子的蒸气压，所以，AlGaInP中的Zn原子比AIGaAs中的Zn更容易再蒸发。在AIGaInP激光结构需要的高生长温度下，为了达到理想的掺杂水平，DMZn局部压力甚至会超过Ⅲ组元素所需要的蒸气压。可以通过增加Zn原子的浓度来提高Zn与被掺杂物的结合效率，这时Zn会形成双化学键结构，会更加稳定。
另外， 我们为AIGaInP为基质材料的红光激光打标机半导体激光器选择(111)A方向错簇定向的基底也是为了提高Zn原子的结合效率。在生长层，并不需要所有的Zn原子都是积极的受能级，保留在晶格上的氢会中和Zn的受能级。在氮气下进行退火可以祛除氢。这个过程也可以在MOVPE发生器中进行。具体是在GaAs的p型掺杂层生长后迅速关闭砷化三氢，并且在接近生长温度下，在氮气中冷却即可。但，即使有了这个过程，在通常的生长温度下，用Zn做掺杂物的AlInP最高的P型掺杂浓度也不能达到5×l017 cm-3。当然，我们可以降低生长温度到700℃或根据材料的性质调节到其他温度来提高掺杂水平。
MOVPE掺杂中，AIGaInP的另外一种掺杂物是Mg，这种掺杂物有两个大的缺点：一是由于初级分子的吸收带来短暂掺杂的危险，二是由于很高的蒸气压，对存储效应非常差。另外，用该掺杂物掺杂还需要进行后生长以祛除残留的氢原子。它的优点是有较高的结合效率。所以，对于AIGaInP，进行p型掺杂是有良种掺杂物可供选择，但都有各自的缺点。
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