日本开发出使用氧化镓基板的GaN类LED元件

发布时间：2011-03-31 来源：网络阅读次数：337 分享到：

日本田村制作所与光波公司日前宣布，开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件，开发的LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比，每单位面积可流过10倍以上的电流。预计该元件及氧化镓(Ga2O3)基板可在2011年度末上市。

该LED元件将用于前照灯及投影仪等需要高亮度的用途。另外，氧化镓基板通过简单的溶液生长即可形成，因此是一种可实现低成本化的技术，还能用于照明等用途。

氧化镓基板具有高导电性，使用该基板的GaN类LED元件可在表、里两面设置电极。日本田村制作所与光波公司此次开发了可大幅削减设于氧化镓基板和GaN类外延层之间的缓冲层电阻技术，并且通过确立在氧化镓基板上形成低电阻n型欧姆接触电极的技术，实现了可流过大电流的LED元件。

虽然有观点指出氧化镓基板容易破裂，但据称此次通过调整氧化镓基板的面方向解决了这一问题。

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