一项具有较大研究进展的大功率高亮度LED芯片制造技术，近期在扬州大学物理学院诞生，首批试制样品已上线接受1000小时的性能测试。这款由我国自主研发的新光源芯片，将用于替代国外同类产品，从而极大地提升国内LED新光源产业的竞争力。
由扬州大学物理学院教授曾祥华领衔的科研团队，与扬州华夏集成光电有限公司及江苏省新能源半导体照明工程技术研究中心合作，通过采用专业软件来模拟不同电极形状与器件的光电性能之间的关系，对电极结构进行了创造性的优化设计，以此提高器件电流分布的均匀性，减小电流的聚集效应，改善电流的扩展特性，从而提高芯片的出光效率和转化效率，提升器件的光电特性，并大幅提高其使用寿命。目前，该研究项目已获得3项国家专利，并在核心期刊发表了8篇高质量论文，其中4篇被SCI收录。
由扬大物理学院承担的省科技攻关项目——大功率高亮度LED芯片取得重要进展，首批新型芯片样品已试制成功，并获得三项国家专利。据该课题负责人扬大物理学院副院长曾祥华教授介绍，芯片在制作过程中如果处理不好的话，就会引起器件电流分布不均匀，影响散热；散热如果处理不好的话就会影响寿命。
为解决这一难题，从2007年起，扬大物理学院抽出10名科研人员组成研发团队，与生产LED芯片的华夏光电公司开展合作，对传统芯片的结构重新设计，这一项目也被列入江苏省科技攻关项目。“主要是怎么解决电流的均匀性问题，我们通过芯片电极结构优化设计使电流分布更加均匀，来提高寿命”。
曾祥华透露，目前首批新型芯片样品已试制成功，并获得三项国家专利。经过1000小时连续带电测试后，研究人员还将对细节进行改进，新芯片的稳定使用寿命约能提高到5万小时以上。据悉，新芯片由我国自主研发将大大缩减LED制造成本，并可最终用于替代进口芯片。
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