从江西晶能光电 得到消息，长期潜心研究硅衬底LED的江西晶能光电日前演示了基于硅衬底的高功率InGaN LED，据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。 目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED。
这项成果在“第八届国际氮化物半导体论坛“上发布,该论坛于8月18-23日在韩国举行。该成果报告描述了高功率、倒装芯片、垂直注入、蓝白相间InGaN/GaN LED在硅衬底上生长的技术。它们采用了2寸的硅衬底,虽然这家公司已经可以生产6寸的晶圆。
晶圆的MOCVD生长采用了专利的选择性生长技术来控制应力开裂。通常情况下,在硅衬底上生长GaN层会导致开裂,主要由于不同层之间的热膨胀系统不匹配。
晶能光电发布的GaN-on-Si冷白光薄膜LED性能曲线
经过外延生长之后,晶圆的银合金P结被金属绑定在衬底上,原来的硅衬底采用湿法酸蚀刻工艺,而典型的制作薄膜LED方式是在蓝宝石衬底上进行激光剥离。在350mA驱动电流下,这个1*1mm蓝光LED(波长453nm)的输出功率超过458mW,同时,一个0.5*0.5mm的LED在60mA的电流下取得74.8mW的功率。
通过应用YAG荧光粉,1*1mm大小白光LED在350mA驱动电流下可以取得103流明,色温为5130K,CRI为69(见图表)。在75摄氏度下通过900mA的电流运行500小时,光衰减小于5%。
晶能光电表示,这项结果显示在硅衬底上制作GaN基的LED可以作为商业应用,可以同蓝宝石和碳化硅衬底相媲美。该公司现在计划量产100流明的器件,于2010年推出1mm 和0.5mm尺寸的产品,用于传统照明市场。
清华大学黄翊东团队在微纳光电子领域实现全链条突破
黄翊东带领的微纳光电子芯片科研团队始终锚定原始创新，聚焦“产学研用”堵点，培育战略科技力量，在光电子芯片领域蹚出了一条自主可控的突围之路。....
07-15
舜宇奥来AR微纳光学产品生产线设备搬入暨战略合作签
2023年，临港集团服务舜宇光学临港项目落地临港蓝湾，作为舜宇集团半导体光学的战略支点，其微纳光学器件突破高精度光学芯片国产化瓶颈，直接赋能XR（扩展现实）硬件轻量化....
07-15
- 政策法规
- 光电知识
- 产权标准
