从江西晶能光电 得到消息，长期潜心研究硅衬底LED的江西晶能光电日前演示了基于硅衬底的高功率InGaN LED，据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。 目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED。
这项成果在“第八届国际氮化物半导体论坛“上发布,该论坛于8月18-23日在韩国举行。该成果报告描述了高功率、倒装芯片、垂直注入、蓝白相间InGaN/GaN LED在硅衬底上生长的技术。它们采用了2寸的硅衬底,虽然这家公司已经可以生产6寸的晶圆。
晶圆的MOCVD生长采用了专利的选择性生长技术来控制应力开裂。通常情况下,在硅衬底上生长GaN层会导致开裂,主要由于不同层之间的热膨胀系统不匹配。
晶能光电发布的GaN-on-Si冷白光薄膜LED性能曲线
经过外延生长之后,晶圆的银合金P结被金属绑定在衬底上,原来的硅衬底采用湿法酸蚀刻工艺,而典型的制作薄膜LED方式是在蓝宝石衬底上进行激光剥离。在350mA驱动电流下,这个1*1mm蓝光LED(波长453nm)的输出功率超过458mW,同时,一个0.5*0.5mm的LED在60mA的电流下取得74.8mW的功率。
通过应用YAG荧光粉,1*1mm大小白光LED在350mA驱动电流下可以取得103流明,色温为5130K,CRI为69(见图表)。在75摄氏度下通过900mA的电流运行500小时,光衰减小于5%。
晶能光电表示,这项结果显示在硅衬底上制作GaN基的LED可以作为商业应用,可以同蓝宝石和碳化硅衬底相媲美。该公司现在计划量产100流明的器件,于2010年推出1mm 和0.5mm尺寸的产品,用于传统照明市场。
尖端装备集结！世界雷达博览会在合肥举办
5月17日至19日，由中国雷达行业协会、中国电子科技集团有限公司、中国电子信息产业集团有限公司共同主办的2025第十一届世界雷达博览会在合肥滨湖国际会展中心举办，诸多雷达....
05-19
- 政策法规
- 光电知识
- 产权标准
