总投资20亿！年产600万片砷化镓、磷化铟衬底项目落户衢州
发布时间：2026-07-08 来源：OFweek光通讯网 阅读次数：110 分享到：
据悉，总投资 20 亿元的高端化合物半导体衬底生产线项目正式完成投资备案，落户浙江衢州。
项目建成后将形成年产砷化镓衬底 300 万片、磷化铟衬底 300 万片的生产能力，合计年产 600 万片高端半导体衬底。
据官方备案信息显示，该项目由浙江先导微电子科技有限公司投建，计划固定资产投资 17 亿元，将利用企业现有场地升级扩建生产线，引入高端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心生产设备，重点布局 4－6 英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底产品。
项目建设周期为 2026年8月至2029年8月，达产后将跻身国内规模领先的化合物半导体衬底生产基地行列。
作为先导科技集团旗下核心材料平台，浙江先导微电子已在衢州深耕多年，是国内首家实现 6 英寸磷化铟衬底量产的企业，产品位错密度、表面平整度等核心技术指标对标国际一线厂商，已稳定供货国内头部光芯片、光模块企业。本次扩产是企业紧跟 AI 光通信产业爆发趋势、匹配下游旺盛需求的核心布局。
近年来，衢州聚焦集成电路关键材料赛道深耕布局，已引入先导科技集团百亿级产业项目，覆盖 MO 源、电子特气、化合物半导体器件等多条产品线，形成了从高纯基础原材料到高端衬底的完整产业生态。本次 20 亿元衬底扩产项目，是当地半导体材料产业链的进一步延伸补强，将助力衢州打造长三角重要的化合物半导体产业集群，为浙江数字经济产业发展提供核心材料支撑。
项目相关负责人表示，后续将加快产线建设与设备调试进度，推动项目早日投产达效，依托衢州的产业配套优势与政策支持，持续突破高端化合物半导体材料技术瓶颈，为国内半导体与光通信产业自主可控升级提供稳定的上游材料保障。
项目建成后将形成年产砷化镓衬底 300 万片、磷化铟衬底 300 万片的生产能力，合计年产 600 万片高端半导体衬底。
据官方备案信息显示，该项目由浙江先导微电子科技有限公司投建，计划固定资产投资 17 亿元，将利用企业现有场地升级扩建生产线，引入高端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心生产设备，重点布局 4－6 英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底产品。
项目建设周期为 2026年8月至2029年8月，达产后将跻身国内规模领先的化合物半导体衬底生产基地行列。
作为先导科技集团旗下核心材料平台，浙江先导微电子已在衢州深耕多年，是国内首家实现 6 英寸磷化铟衬底量产的企业，产品位错密度、表面平整度等核心技术指标对标国际一线厂商，已稳定供货国内头部光芯片、光模块企业。本次扩产是企业紧跟 AI 光通信产业爆发趋势、匹配下游旺盛需求的核心布局。
近年来，衢州聚焦集成电路关键材料赛道深耕布局，已引入先导科技集团百亿级产业项目，覆盖 MO 源、电子特气、化合物半导体器件等多条产品线，形成了从高纯基础原材料到高端衬底的完整产业生态。本次 20 亿元衬底扩产项目，是当地半导体材料产业链的进一步延伸补强，将助力衢州打造长三角重要的化合物半导体产业集群，为浙江数字经济产业发展提供核心材料支撑。
项目相关负责人表示，后续将加快产线建设与设备调试进度，推动项目早日投产达效，依托衢州的产业配套优势与政策支持，持续突破高端化合物半导体材料技术瓶颈，为国内半导体与光通信产业自主可控升级提供稳定的上游材料保障。
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