近日，上海芯元基半导体科技有限公司成功开发出了适合大规模量产的化学腐蚀剥离外延层生长衬底的新技术，可以用来制作垂直结构的GaN基电子功率器件和高端薄膜结构的LED芯片。该技术克服了激光剥离技术的诸多缺点，解决了困扰产业界多年的产品良率和成本等问题。

　　与激光剥离技术相比，上海芯元基的化学剥离技术具有以下特征：一：工艺简单，成本低，适合大规模量产；二、避免了激光剥离过程中激光能量和冲击对外延层的损伤；三、结合MEMS技术，先剥离，再键合，彻底释放器件外延结构中的应力。

 
　　据了解，上海芯元基由以郝茂盛博士为核心的LED行业资深专家于2014年10月创建，公司专注于具有自主知识产权和巨大产业前景的第三代半导体（GaN）材料和高端薄膜结构LED芯片的研发和量产，已经完成了从生长衬底、外延技术、芯片工艺、到器件封装全产业链的专利布局，打破了国际巨头对GaN基电子器件和薄膜结构LED芯片的技术垄断，对发展我国第三代半导体材料技术意义重大。