5月8日上午，武汉高德红外股份有限公司工业园在武汉光谷正式开工。高德红外工业园占地200亩，建筑面积8.4万多平方米，预计项目总投资约10亿元，分步实施。该工业园不仅包括红外热像仪产业化基地、红外光学加工中心、研发试验中心三个募集资金项目，还包括高德红外以自有资金投入的微电子学MEMS研发中心项目。
项目建成后，将大大缓解高德红外生产规模的瓶颈，红外热像仪产能将从去年的2539台套增加到2013年的8540台套，扩大2倍以上。
项目首期建设期两年。其中，红外热像仪项目到2012年可以完成70%的产能，2013年全部达产；而红外光学加工中心建成后，将成为亚洲最大、加工精度水平最高的红外精密光学生产基地。
通过多年的技术积累，高德红外在国内同业中已率先从普通红外热像仪产品的优势厂商发展成为高端红外热像仪、综合光电系统的品牌供应商。工业园的开工建设，将使高德红外在红外热像仪领域里的产业链更加完整，研发能力得到大幅提高，高德红外将进一步稳固其全球领先的综合光电系统品牌供应商地位。
当前，只有少部分国外企业有实力从事综合光电系统设计生产，如美国的FLIR公司、美国Raytheon公司，高德已开始起步并领先国内同行。综合光电系统的技术壁垒更高，不光有红外，还需要对可见光、激光、伺服控制、人工智能、识别系统等多领域技术充分了解。由于以红外热像仪为核心的综合光电系统是红外光电行业的制高点，科技含量更高、竞争对手将更少，利润也将更丰厚。
以自有资金投入微电子学MEMS研发中心项目，建筑面积达3000平方米，计划分期投资2亿元人民币。据悉，高德微电子学MEMS研发中心将按照国内首屈一指标准建设，这个平台的建设将大大提高国内在高端探测器研发、生产水平，同时作为开发实验室还将满足微电子学MEMS领域多个方向的基础研究。
在高端探测器领域里，高德红外在自身研发成果基础上与处于国内细分领域研究最前沿地位的清华大学微电子学研究所合作，联合研制面阵为400*300红外焦平面探测器。该产品设计完全按照军用标准要求，达产后即可直接实现军民两用，代表了国际先进水平和行业发展趋势。双方的合作实现了强强联合，各自多年研发所形成的成果积累确保了后续研发的快速推进，目前已经完成了整个项目的总体方案及相关电路和工艺设计，即将投入试生产。
目前高端探测器产品几乎完全被国外企业所垄断，目前国内虽然也有红外企业在研制低分辨率探测器产品，但低分辨率产品仅应用于低端民用产品，民用高端以及军品市场均无法采用。
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05-19
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