夏普开发出了脉冲振荡时的光输出功率高达500mW的蓝紫色半导体激光器。面向记录型蓝光光盘装置,振荡波长为405nm。对于3层或4层光盘能以8倍速写入。该公司于2009年6月开始量产脉冲功率为320mW的蓝紫色半导体激光器。另外,由于3层以上蓝光光盘的规格尚未确定,因此量产时间未定,“不过半导体激光器本身已面向实用化做好准备”(夏普)。
此次,光输出功率得以提高的主要原因在于谐振器端面处理。半导体激光器的结晶端面通常用电介质膜保护。此次在半导体激光器端面和电介质膜之间通过溅射形成了氮氧化铝(AlON),实现了基础的半导体激光器结晶和AlON结晶的生长轴整齐的外延生长。
过去只是用非晶质电介质膜覆盖半导体激光器的结晶。因此存在的课题是,结晶端面吸收激光器的振荡光,结晶因吸收热量而劣化,不再振荡。
激光器的可靠性也已得到证实。在+80℃环境下,以脉冲宽度30n秒输出500mW,能够工作1000小时以上。
有关详情将在“第70届应用物理学会学术演讲会”上发表。演讲序号为11p-X-8。
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