韩国三星电子（Samsung Electronics）开发出了使用单晶硅TFT的2.4英寸QVGA主动矩阵型有机EL面板。为提高主动矩阵型有机EL面板的亮度，需要加大发光材料中通过的电流。为此，需要采用提高TFT所用半导体层的结晶性以及TFT载流子迁移率的技术。此前，使用低温多晶硅的情况较多，而使用单晶硅尚无先例。
三星开发的面板为240×320像素，亮度为350cd/m2，对比度为1万比1。像素间隔为51μm×153μm，像素电路由2个TFT和1个电容器组成。TFT的载流子迁移率为p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs，与其它有机EL用TFT相比，非常高。目前，该公司还在利用此次开发的制造方法试制1.9英寸TFT液晶面板。
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| 图1：开发的单晶硅和有机EL面板的规格 |
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| 图2：单晶硅膜转印方法 |
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| 图3：TFT特性 |
在此之前，单晶硅TFT的使用尚无先例，其原因是单晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困难。在此次开发中，三星使用了美国康宁（Corning）开发的向玻璃底板转印单晶硅的技术“SiOG”。该技术首先要向单晶硅晶圆表面之下较浅的部位注入氢离子。然后把晶圆粘贴到康宁制造的“EAGLE”玻璃底板上，在从粘贴后的底板的内外两侧施加电压的同时进行热处理。这样，在氢离子转变为氢分子的同时，进行了离子注入的部分的结晶会受到损伤，取下晶圆时，单晶硅膜能够残留在晶圆表面。三星表示，“用粘贴方式制造的TFT粘着性良好，可靠性方面也无需担心”。另外，此次的方法还可用于大型面板用底板，应用范围最少可涵盖至第4代底板。
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