浙江金西园科技有限公司—中国光学光电子行业网

浙江金西园科技有限公司

发布时间：2009-08-28 来源：不详阅读次数：1371 分享到：

　浙江金西园科技有限公司创建于1999年，注册资本3531万元，占地面积45968m2。企业位于浙江省西部，钱塘江上游，浙、皖、赣三省七县交界处，东经118°01'15''－118°37'50''，北纬28°54'30''－29°29'59''。是一家专业生产集成电路级和太阳能级半导体材料的硅单晶企业，是省级硅产业的重点企业。2007年8月被国家发改委、信息产业部、海关总署、国家税务总局联合审核认定为第一批国家鼓励发展的集成电路企业。

　　企业的工艺流程、质量管理，通过了国际ISO9001:2000体系认证。企业注重技术创新，为保证产品质量，企业引进日本，瑞士等国先进的生产设备及检测设备。

　　企业主导产品“金西园”牌CZ硅单晶，型号有N型、P型（111）、（100），直径为3～8英寸，年生产能力90000公斤，硅单晶片500万片。为客户提供集成电路级和太阳能级半导体材料产品。

　　企业贯彻“客户至上，质量第一”的宗旨，并以一流的服务满足顾客的期望，热忱欢迎新老客户光临惠顾。

产品系列

专业生产直径为3～8～8英寸直拉硅单晶产品，分为太阳能级与电路级两大系列。部分产品规格：

硅单晶棒技术参数

名称	3˝	4˝	5˝	6˝	8˝
直径	Ф76.2±0.3mm	Ф100±0.4mm	Ф125±0.5mm	Ф150±0.5mm	Ф200±0.5mm
晶向	<111><100>	<111><100>	<111><100>	<111><100>	<111><100>
型号	N、P	N、P	N、P	N、P	N、P
氧含量	≤20-36ppma	≤20-36ppma	≤20-36ppma	≤20-36ppma	≤20-36ppma
碳含量	≤1ppma	≤1ppma	≤1ppma	≤1ppma	≤1ppma
电阻率	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm

硅单晶研磨片技术参数

名称	3˝	4˝	5˝	6˝	8˝
直径	Ф76.2±0.3mm	Ф100±0.4mm	Ф125±0.5mm	Ф150±0.5mm	Ф200±0.5mm
厚度	≥190µm	≥220µm	≥250µm
厚度偏差	±5µm/±10µm	±5µm/±10µm	±5µm/±10µm	±5µm/±10µm	±5µm/±10µm
总厚度变化	<5µm	<5µm	<5µm	<5µm	<5µm
翘曲度	<25µm	<25µm	<25µm	<25µm	<25µm
主参考面方向	(110)±1°	(110)±1°	(110)±1°	(110)±1°	(110)±1°
主参考面宽度	Cw22.5±2.5mm	Cw22.5±2.5mm	Cw22.5±2.5mm	Cw22.5±2.5mm	Cw22.5±2.5mm
氧含量	≤20-36ppma	≤20-36ppma	≤20-36ppma	≤20-36ppma	≤20-36ppma
碳含量	≤1ppma	≤1ppma	≤1ppma	≤1ppma	≤1ppma
电阻率	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm	0.005-90Ω·cm

客户如有特殊要求，可以协定技术参数。

质量认证：ISO9001:2000

地址：浙江开化城关镇西园路2号
　　　　　　　　电话：0570—6162518传真：0570—6163508
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