通用硅太阳能电力（昆山）有限公司一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业。成立于2007年3月，注册资本1668万美元。总投资5000万美元，占地面积400亩，其主要产品为太阳能电力产品。
公司技术团队是由太阳能专业领域的业内知名技术专家组成，具有丰富的管理、研发、生产及市场推广经验。公司创办人之一袁建中博士早年留学美国，一直从事于硅材料的研究，曾先后在MEMC和INTEL 担任重要职务，对多晶材料有及深的研究，2000年回国创业，首次将多线切割技术引入中国，并一直致力于生产工艺的提升,同时在国内公司已培养出一批技术和管理骨干。公司另一位创办人Juan van Wassenhove在中国生活了15年，并一直在商业和投资银行工作，如：BNP Paribas和JPMorgan Chase。
公司通过自主创新，大幅度提高国内科技在世界市场上的竞争力，力争成为全球太阳能硅片市场的主要供应商之一。
公司本着诚信、务实、敬业、奉献的企业精神，遵循“以人为本，任人为贤”的用人原则，追求以最优化的成本、最快的速度生产出满足客户需要的产品，把公司建设成环保、清洁能源的领跑者。
GSMSolar昆山公司坐落于江苏省昆山市，厂房面积为15000平方米，于2007年9月正式投产，主要从事单晶硅棒的生产和单晶及多晶的太阳能级硅片的制造。是对位于上海现有公司生产产能的扩大。
GSMSolar昆山新工厂单晶硅棒和单晶硅片的生产产能分别为15兆瓦和36兆瓦。
GSMSolar昆山工厂的产能设计为300兆瓦。另外仍保留充足的土地作为将来扩大的厂房。
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 晶体生长方式：CN
型号：P
电阻率:0.5-6.Ω·cm
氧含量:≤1.0*1018 atoms/cm3
碳含量:≤5*1016 atoms/ cm3
少子寿命（硅片钝化后）:≥1.5μs
单晶晶向:100 ±3°
位错密度: ≤3000pcs/ cm3
硅片外形尺寸:125x125 ±0.5mm
硅片直径:150±0.5mm
硅片中心厚度: 200±20μm
总厚度变化:≤30μm
硅片表面粗燥度:≤8μm
硅片相邻边垂直度:90±0.3°
硅片边长极差:≤1.5mm
硅片弯曲度: ≤40μm
边缘缺陷宽度 ≤0.5mm
边缘缺陷长度≤1.0mm
表面污点/斑点:无
表面穿孔/裂纹：无
目视翘曲：无 | | |
中国江苏昆山高新区元丰路100号
www.gsmsolar.com Email: sales@gsmsolar.com
南昌办公地址:江西省南昌市高新区金庐南路300号海关大楼410
樟树厂址:江西省樟树市盐化基地工业
Tel. 0791-8173636 0791-8194480 0795-7364402
Fax 0791-8173737 0795-7364403
www.gysilicon.com
