有研半导体材料股份有限公司—中国光学光电子行业网

有研半导体材料股份有限公司（股票简称“有研硅股”）成立于1999年3月12日，是北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司。公司前身是半导体材料国家工程研究中心。公司于 1999年3月19日在上海证券交易所挂牌上市，股票简称“有研硅股”。
　　有研硅股是中国最大的具有国际水平的半导体材料研究、开发、生产基地，坐落于北京市高新技术产业云集的中关村科技园区，占地3 万平方米，员工总人数650余人。公司拥有符合国际标准的现代化厂房及生产设备，年生产能力达250万片集成电路级抛光片，是国内半导体材料行业的主导企业。
　　公司成立七年来，完成了从单一研究向产学研相结合的实体的转变：销售收入从3000万元增长到2005年的3.5亿元，员工人数从130人增长到650人，开发出多领域、多品种的半导体材料系列，承担了“九五”“十五”多次硅材料重大课题，完成了2项国家产业化工程，获得23项新技术专利，在支撑国内微电子产业发展及带动相关配套产业发展等方面做出了突出贡献。公司已形成具有自主知识产权的技术及产品品牌，在国内外市场具有较高的知名度和影响力，是中国硅材料行业的领头羊。

	1958年研制成功中国第一根直拉硅单晶
	1961年研制出中国第一根区熔硅单晶
	1963年研制成功大功率整流器用硅单晶
	1992年5月研制成功中国第一根ф4"直拉硅单晶
	1992年9月研制成功中国第一根ф6"直拉硅单晶
	1995年8月研制成功中国第一根ф8"直拉硅单晶
	1997年8月研制成功中国第一根ф12"直拉硅单晶
	2000年建立中国第一条0.25μm的IC级硅抛光片生产线并已开始批量生产
	2002年11月研制成功中国第一根ф18"直拉硅单晶
	2003年11月研制成功ф12"硅单晶抛光片
	2005年12月建成中国第一条ф12"硅单晶抛光片中试生产线

200 mm 硅抛光片规格
生长方法	直拉CZ
直径与公差 (mm)	200.0 ± 0.2
型号/掺杂剂	P型/硼 N型/磷
晶向	<100> / <111>
电阻率 (Ω·cm)	0.1-50
径向电阻率变化 (%)	P型 P Type < 5 N型 N Type < 15
氧含量与公差	5.0-7.8 × ± 0.5
径向氧含量变化 (%)	< 5
碳含量 (at )	≤ 2.0×
金属铁含量 (at )	(Fe) ≤ 5.0×
表面金属 (at)	铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 2.5× 铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 1.0×
厚度 (微米)	按SEMI标准或用户要求
厚度公差 (微米)	±15或用户要求
总厚度变化 TTV (微米)	< 3.0
平整度 TIR (微米)	< 2.0
局部平整度 STIRmax (微米)	< 0.3
翘曲度 (微米)	< 20
颗粒 (# per wafer)	< 30 (for size > 0.15 微米)
注：表中概括了常规产品参数，对产品有更特殊的要求需单独商谈。

150 mm 硅抛光片规格
生长方法	直拉CZ
直径与公差 (mm)	150.0 ± 0.2
型号/掺杂剂	P型/硼 N型/磷、砷、锑
晶向	<100> / <111>
电阻率 (Ω·cm)	0.003-50
径向电阻率变化 (%)	P型 < 6 N型 < 25
氧含量与公差 (at)	5.0-7.8× ± 0.5
径向氧含量变化 (%)	< 5
碳含量 (at)	≤ 2.0×
金属铁含量 (at)	≤ 1.0×
表面金属 (at)	铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0× 铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙≤ 2.0×
厚度 (微米)	按SEMI标准或用户要求SEM
厚度公差 (微米)	±15或用户要求±15
总厚度变化 TTV (微米)	< 2.5
平整度 TIR (微米)	< 1.2
局部平整度 STIRmax (微米)	< 0.3
翘曲度 (微米)	< 30
颗粒(# per wafer)	< 30 (for size > 0.2 微米)
注：表中概括了常规产品参数，对产品有更特殊的要求需单独商谈。

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