由中国光学光电子行业协会主办的第十五届全国LED产业发展与技术研讨会（2016’LED）将于2016年10月召开。全国LED产业发展与技术研讨会是由行业主管部门组织的、国内最早开始举办的全国性会议，目前已成功举办了十四届大会。会议为全国从事LED及相关领域生产、研究和教学的科技人员及管理人员提供了技术、学术和产业发展等的交流机会，促进了我国LED技术创新和产业健康的有序发展。
继党的十六大提出的全面建设小康社会奋斗目标之后，在党的第十八届中央委员会第五次全体会议通过的《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十三个五年规划的建议》中再次明确到二〇二〇年全面建成小康社会，“十三五”时期是全面建成小康社会决胜阶段。为实现这个目标，在今后的五年，要经济保持中高速增长，把创新摆在国家发展全局的核心位置，拓展产业发展空间。支持节能环保、生物技术、信息技术、智能制造、高端装备、新能源等新兴产业发展，支持传统产业优化升级 ；强化企业创新主体地位和主导作用，形成一批有国际竞争力的创新型领军企业，支持科技型中小企业健康发展。2016年是我国“十三五”规划的开局之年，认识新常态、适应新常态、引领新常态，是当前和今后一个时期我国经济发展的大逻辑。急速拉升期产生的各种问题开始显现，加上外围经济的影响，经济增长放缓，调结构转型成为当务之急。为此，调整战略战术和政策措施，正视各种问题，适应后以深化改革调整结构、重新激活并开发出新的经济发展动力，走出经济调整期。
LED产业是国家战略性新兴产业的重要组成部分，作为信息化和工业化融合发展的重要内容，已经成为当前我国发展最快的产业之一，具有产业成长强劲、技术进步快、带动作用强、市场前景广阔等特点。近年来我国的LED产业政策环境不断完善,产业规模持续增长,自主创新能力快速提高,应用领域不断开拓，取得了明显的进步。随着LED产业逐步走向成熟，LED相关企业也正在经历着技术、装备的再升级，市场竞争越来越激烈、越来越向更有实力的企业倾斜，企业间的并购、重组、合作将更有利于产业的升级，并且大大增强企业的竞争力。我们相信，“一带一路”、“互联网+”行动计划、绿色城市、智慧城市建设的实施将给LED/半导体照明相关企业带来广阔的市场前景。
我们希望第十五届全国LED产业发展与技术研讨会能给大家带来更多的信息和机会。本届会议拟组织特邀报告、大会交流、产业论坛和产品、样品宣展等活动，并在大会上对获得“2015-2016年度国内LED知名品牌”的企业颁发证书。热忱欢迎大陆和港澳台广大科技人员、工程技术人员和企业管理人员积极撰写论文，到会交流，展示最新研究成果、技术进步和在LED应用、开发及生产实践中所取得的宝贵经验和成绩。现将会议征文的有关事项通知如下：
一、征文范围：
1、LED用衬底材料（蓝宝石、硅及其它）技术和工艺研究；
2、MO源的技术研究；
3、LED外延材料制备技术研究；
4、LED芯片制造技术研究；
5、LED器件封装技术研究；
6、半导体照明光源的相关技术研究；
7、高效、高稳定荧光粉技术研究；
8、LED应用技术研究及市场前景分析；
9、与LED相关的光电器件技术研究；
10、LED产业化中的技术及相关问题；
11、LED测试技术和标准化、可靠性研究；
12、MOCVD设备和LED生产相关设备研究及发展趋势；
13、海峡两岸LED产业合作发展的探讨与前景;
14、国际LED技术的发展动态及展望；
15、LED、半导体照明技术、工艺的最新进展以及发展前景等综述类论文
16、LED企业经营管理和资本运作等；
17、其他LED/半导体照明相关论文。
二、重要时间：
截稿日期：2016年 5月 31 日
录用通知：2016年 7 月
三、论文邮寄方式：
1、用电子邮件发送到以下邮箱（不需要邮寄打印稿）。
13933157199@139.com, xqniu@sohu.com；
2、请在文后提供详细通信地址及联系电话，以方便联系。
四、其它：
1、大会将出版论文集，由协会专家委员会评选出优秀论文，并推荐在中文核心期刊、中国科技核心期刊《半导体技术》上出版。
2、会议届时将邀请国内外厂商举办展示、演示会，承办方将以优惠条件提供场所，并同时在此次会议会刊上刊登专业产品介绍。
3、有关事宜可与中国光协光电器件分会秘书处联系。
联系人：刘育青，牛晓青
电 话：0311-87091253 传真：0311-87091358
E-mail：13933157199@139.com；xqniu@sohu.com
附件一：稿件格式
中国光学光电子行业协会光电器件分会第十五届全国LED产业发展与技术研讨会筹委会
2016年3月7日
附件一：稿件格式
1. 标题(20个字以内)、关键词(5个)， 作者姓名（不超过6位）、单位地址（含省、市、邮编）、摘要（以上均要求中英文）。摘要部分要求客观反映论文的主要内容，具有独立性和自含性，文字不能与正文雷同，不少于250～300个字。技术文章摘要包括：目的、方法、结果和结论；综述文章摘要包括：对所述的研究或技术发展情况进行简要概述，该技术目前的发展水平、作者的评论及未来展望等。
2. 请按文章的专业提供中图分类号、EEACC或PACC分类号。所录用论文为5宋、A4版面，技术文章最好不超过4页(5000字符)，综述文章5页以内(6000字符)。正文插图不超过5幅，请用黑白图，7 cm或14 cm以内，所有的图、表都应给出英文图题和表题，a、b图都必须标注图题，图中文字请用中文（英文缩写除外），曲线图应去掉没有坐标一侧的框线及底纹，物理量用符号表示，用“/” 与量纲单位隔开，如:V/V；t/ns；J/(μA•cm-2)，刻度线应在框内侧，只保留主要刻度线。
3. 参考文献请用[ ]上角标形式在文中按顺序标出，参考文献为多作者的只写前三作者，采取姓前，名后，“姓”要大写，“名”缩写。如期刊格式为：“作者．文题．期刊名[文献类型标识]．文献出处，年，卷（期）：起止页码”，文献类型标识为：专著[M]，论文集[C]，期刊[J]，学位论文[D]，报告[R]，标准[S]，专利[P]，工具书[K]。范例：
[1] JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R, et al. A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon [J].Appl Phys A, 1988, 45(1):342-347.
[2] 白居宪.低噪声频率合成[M].陕西：西安交通大学出版社，1995：50-70.
[3] WEN Z M, CHOO K F. The optimum thermal of microchannel heat sinks[C]//IEEE CPMT Electronic Packaging Technology Conf. New York, USA，1997:123-129.
4. 请提供最多三位作者的简介（在校生要给出导师简介），含姓名、性别、出生年、出生地、学历及职称、技术专长和研究方向，并在文后附第一作者近期一寸免冠证件照。
5. 公式尽量减少推导过程，不用繁杂的公式和示图，稿件一定要用word文档，不需要邮寄打印稿。
6. 请在文后提供详细通信地址及联系电话，回邮时请写明编号。
