第十二届全国LED产业研讨与学术会议（2010’LED）第一轮会议通知及征文通知
指导单位：中华人民共和国工业和信息化部电子信息司 中国光学光电子行业协会
主办单位：中国光学光电子行业协会光电器件分会
承办单位：中国光学光电子行业协会光电器件分会
深圳雷曼光电科技有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
协办单位：厦门华联电子有限公司
佛山市国星光电科技有限公司
江西联创光电科技股份有限公司
晶能光电（江西）有限公司
厦门三安电子有限公司
山东华光光电科技有限公司
江苏稳润光电有限公司
支持单位：“半导体技术”杂志社
中国电子报社
根据光电器件分会六届四次理事会议决定，“第十二届全国LED产业研讨与学术会议”将于2010年9月在深圳召开，这是继2008年9月镇江会议后的又一次全国性重大行业活动，目的是为全国从事LED及相关领域生产、研究和教学的科技人员及管理人员提供一次技术与学术交流的机会，促进我国LED技术创新和产业发展。
本届会议拟组织特邀报告、大会交流、专题讨论和产品、样品宣展等活动。热忱欢迎大陆和港澳台广大科技人员、工程技术人员和管理人员积极撰写论文，并到会交流，展示最新研究成果和在应用、开发及生产实践中所取得的宝贵经验和成绩。现将会议征文的有关事项通知如下：
一、会议组织机构：
组织委员会主任：杨克武
副主任： 范玉钵 朱野根 李漫铁
秘书长： 顾忠良 邵以健 胡爱华
委 员： 王垚浩 蒋国忠 邓电明 叶建青 张日光 唐国庆
隆振亚 林秀成 王金连 刘锡温 肖志国 董志江
学术委员会主任： 陈良惠
副主任： 郝 跃 石 修 彭万华
秘书长： 赵小宁 沈熙磊 潘 静
委 员： 张万生 江风益 张国义 方志烈 鲍 超 罗 毅
范广涵 赵 英 陈向东 徐现刚 余彬海 王向武
蔡伟智 庄卫东 王国宏 牟同升 程德诗 李小红
周 力 关积珍 陈泽澎 李秉杰
二、征文范围：
1、半导体照明光源的相关技术研究；
2、LED外延材料制备技术研究；
3、LED芯片制造技术研究；
4、LED器件封装技术研究；
5、有机LED的相关技术研究；
6、高效、高稳定荧光粉技术研究；
7、LED应用技术研究及市场前景分析；
8、与LED相关的光电器件技术研究；
9、LED产业化中的技术及相关问题；
10、LED测试技术和标准化、可靠性研究；
11、LED外延设备及相关问题；
12、海峡两岸LED产业合作发展的探讨与前景;
13、国际LED技术的发展动态及展望
14、LED企业经营管理和资本运作等。
三、征文要求：
1、论文内容力求反映最新研究成果和企业生产经营管理、技术发展新动态;
2、欢迎LED业内人士踊跃投稿,要求光电器件分会专家组成员每人至少提交一篇论文;
3、重要时间：
截稿日期：2010年 5月 31 日
录用通知：2010年 7 月
四、论文格式（见附件一）：
五、论文邮寄方式：
1、用电子邮件发送到：zj1986812@163.com, 不需要邮寄打印稿。
2、请在文后提供详细通信地址及联系电话，论文采用后，将给出论文编号。回邮时，请写明编号。
六、其它：
1、大会论文集将在中文核心期刊、中国科技核心期刊《半导体技术（增刊）》上出版。
2、录用的论文也可根据作者意愿在其它刊物发表。
3、会议届时将邀请国内外厂商举办展示、演示会，承办者将以优惠条件提供场所，并同时在《半导体技术（增刊）》上刊登专业产品介绍。
联系人：顾忠良：电话：0311-87091487
张 拓：电话：0311-87091337
E-mail：zj1986812@163.com
4、有关光电器件分会的其它事宜请与分会秘书处联系。
联系人：沈熙磊：电话：0311-87091337
E-mail：shenxl@heinfo.net
中国光学光电子行业协会光电器件分会
第十二届全国LED产业研讨与学术会议筹委会
二零零九年十月十九日
附件一：稿件格式
1. 标题(20个字以内)、关键词(5个)， 作者姓名（不超过6位）、单位地址（含省、市、邮编）、摘要（以上均要求中英文）。摘要部分要求客观反映论文的主要内容，具有独立性和自含性，文字不能与正文雷同，不少于250～300个字。技术文章摘要包括：目的、方法、结果和结论；综述文章摘要包括：对所述的研究或技术发展情况进行简要概述，该技术目前的发展水平、作者的评论及未来展望等。
2.请按文章的专业提供中图分类号、EEACC或PACC分类号。所录用论文为5宋、A4版面，技术文章最好不超过4页(5000字符)，综述文章5页以内(6000字符)。正文插图不超过5幅，请用黑白图，7 cm或14 cm以内，所有的图、表都应给出英文图题和表题，a、b图都必须标注图题，图中文字请用中文（英文缩写除外），曲线图应去掉没有坐标一侧的框线及底纹，物理量用符号表示，用“/” 与量纲单位隔开，如:V/V；t/ns；J/(μA•cm-2)，刻度线应在框内侧，只保留主要刻度线。
3. 参考文献请用[ ]上角标形式在文中按顺序标出，参考文献为多作者的只写前三作者，采取姓前，名后，“姓”要大写，“名”缩写。如期刊格式为：“作者．文题．期刊名[文献类型标识]．文献出处，年，卷（期）：起止页码”，文献类型标识为：专著[M]，论文集[C]，期刊[J]，学位论文[D]，报告[R]，标准[S]，专利[P]，工具书[K]。范例：
[1] JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R, et al. A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon [J].Appl Phys A, 1988, 45(1):342-347.
[2] 白居宪.低噪声频率合成[M].陕西：西安交通大学出版社，1995：50-70.
[3] WEN Z M, CHOO K F. The optimum thermal of microchannel heat sinks[C]//IEEE CPMT Electronic Packaging Technology Conf. New York, USA，1997:123-129.
4. 请提供最多三位作者的简介（在校生要给出导师简介），含姓名、性别、出生年、出生地、学历及职称、技术专长和研究方向，并在文后附第一作者近期一寸免冠证件照。
5. 公式尽量减少推导过程，不用繁杂的公式和示图，稿件一定要用word文档，不需要邮寄打印稿。
6. 请在文后提供详细通信地址及联系电话，回邮时请写明编号。
