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西安高新区大功率LED外延片基地奠基
发布时间:2009-07-07    来源:网络   阅读次数:239 分享到:

 由台湾华新丽华股份有限公司独资设立的西安华新联合科技公司,在西安高新区总投资达2亿美元的国内首个大功率LED外延片生产和芯片制造基地,6月10日奠基。

  据了解,这一项目一期项目总投资5500万美元,全部达产后可实现营业收入2亿美元。

  台湾华新丽华股份有限公司目前是大中华区电线电缆、铜线材及特殊钢业界领导厂商,同时成功跨足高科技转投资的国际化企业。华新丽华从1980年开始成功转投资半导体制造、电子零组件、印刷电路板、光电与金融投资等产业,拥有优秀团队与先进核心技术,在所属产业已建立领先地位。

  2007年8月8日,华新丽华与西安高新区签署总投资6亿美金投资协议后,目前在陕西已涉足多晶硅建设、太阳能电池生产制造、高亮度LED制造与封装和特殊钢加工制造等项目。

  西安华新联合科技有限公司成立于2006年4月,是由台湾华新丽华股份有限公司独资设立,公司主要致力于半导体照明的研发、生产和市场推广。台湾华新丽华集团在半导体照明产业领域已有多年的专业经验,集团公司已有上百位的光电专业技术研发工程师,拥有强大的自主研发能力,已完成了多种大功率LED外延片与芯片的批量生产,封装模组与灯具的开发生产 ,生产方面已具有雄厚的技术基础和规模,市场需求不断上扬,量产破在眉睫。

  西安华新联合科技公司产品涉及到整个半导体照明产业链,从上游的外延片与芯片生产,到中游的封装与模组,以及下游的灯具与应用产品开发。主要产品有大于80lm/w的高亮度芯片、大于90lm的1w光源、大于80lm/w的3w-100w封装模组以及可完全替代日光灯的条形灯等,这些产品均在本地开始应用。

  华新丽华LED项目位于陕西西安出口加工区B区预留地,占地123亩,一期三千多万美金建设资金和设备采购资金均自筹,除厂房外,主要进口有机金属化学气相沉积设备(MOCVD)多台和封装设备。投资建设期自2008年末起至2010年为止。

LED外延片介绍

LED外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,Si)上,气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

  外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极,N极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测,把有一点缺陷或者电极有磨损的,分捡出来,这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些参数不符合要求),就不用来做方片,就直接做电极(P极,N极),也不做分检了,也就是目前市场上的LED大圆片(这里面也有好东西,如方片等)。

  半导体制造商主要用抛光Si片(PW)和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

  历史上,外延片是由Si片制造商生产并自用,在IC中用量不大,它需要在单晶Si片表面上沉积一薄的单晶Si层。一般外延层的厚度为2~20μm,而衬底Si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。

  外延沉积既可(同时)一次加工多片,也可加工单片。单片反应器可生产出质量最好的外延层(厚度、电阻率均匀性好、缺陷少);这种外延片用于150mm“前沿”产品和所有重要200 mm产品的生产。

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