国外首次在200mm硅晶圆上生长出高质量的AlGaN/GaN异质结构
发布时间：2008-06-06 来源：网络 阅读次数：841 分享到：
欧洲独立的纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布，首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构。
AlGaN/GaN异质结构在AIXTRON应用试验室中的300mm CRIUS MOCVD设备中生长得到，生长层具有良好结晶质量、表面形貌及高均匀度。
200mm硅衬底上成功生长出高质量GaN意义重大，为向大面积Si衬底上制作GaN器件迈出了一大步，IMEC高效功率项目经理Marianne Germain表示，在功率转换领域，GaN基固态开关器件需求强劲。然而，GaN器件的推广急需成本的降低。唯一可行的方案就是在大面积硅晶圆上生长GaN。150mm及200mm是目前较小的尺寸来进行硅衬底生长工艺。生长后晶圆弯曲较严重，大约100um。但是IMEC相信能够通过缓冲层进一步工艺来减小弯曲。我们将进一步合作探索生长工艺，得到满足Si-CMOS要求的材料。
The thickness uniformity map of a 1 µm GaN layer deposited on a 200 mm Si (111) substrate using an AlN/AlGaN buffer. The average thickness measured in situ is 1008 nm for the full wafer excluding a 5 mm edge.
相关链接（英文）：http://www.semiconductor.net/article/CA6566628.html
免责声明：来源标记为网络的文章其原创性及文中陈述文字和内容未经协会证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺请读者仅作参考并请自行核实相关内容。
行业分析
光电新闻
010-84321456/1457
coema@coema.org.cn
北京市朝阳区酒仙桥路四号中国电科十一所园区
