截至2007年12月，我国MOCVD总量80多台，其中生产型GaN MOCVD 50多台、生产型四元系MOCVD 10台左右，其他为国内科研院所的研究型设备。国内根据各厂商投资计划，2008年预计将新增MOCVD超过40台，我国外延芯片产能规模将有非常大的提升。
2007年我国芯片产值达到15亿元，较2006年的10.5亿元增长43%，其中国内GaN 芯片产值8亿元，较2006年的4.5 亿元增长78%。2007年国产GaN芯片产能增加同样非常突出，较2006年增长60%，达到960kk/月，实际年产量达到90亿只，国产率也提升到了35%。最为重要的是，国产芯片的性能提升较快，已经在显示屏、信号灯、户外照明、中小尺寸背光等高端应用获得认可，市场结构有了较为明显的改善。预计未来几年，国内芯片产能平均增长率将在30%以上。
2007年我国LED封装产值达到168亿元，较2006年的148亿元增长15%；产量则由2006年的660亿只增加24%，达到820亿只，其中高亮LED产值达到120亿元，占LED总销售额的71%。同时从产品和企业结构来看国内也有较大改善，SMD和大功率LED封装增长较快，目前全国大功率封装产能已达到10KK/月左右。
2007年度国内LED产量、芯片产量及芯片国产率
种类 |
LED产量 |
芯片产量 |
芯片国产率 |
|
四元LED |
300 |
120 |
40 |
|
GaN LED |
260 |
90 |
35 |
|
普亮LED |
260 |
170 |
64 |
|
合计 |
820 |
380 |
46 |
( 数据来源：CSA/china-led.net）
我国LED封装市场规模及增长率变化
( 数据来源：CSA/china-led.net）
我国LED封装产量变化
( 数据来源：CSA/china-led.net）
2007年我国应用产品产值已超过300亿元，已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品世界最大的生产和出口国，新兴的半导体照明产业正在形成。国内在照明领域已经形成一定特色，其中户外照明发展最快，已有上百家LED路灯企业并建设了几十条示范道路，但国内在大尺寸LCD背光和汽车前照灯方面仍显落后。
目前国内研究水平为小功率芯片90lm/W、功率型芯片70 lm/W，功率型芯片产业化水平达到60lm/W，更加接近国际产业化水平。在衬底制备、外延生长、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术。功率型白光封装在封装结构设计、散热、透镜、荧光粉涂敷等方面取得重要研究进展，采用国外芯片封装后光效可达70-80lm/W，达到国际产业化水平。但国内稳定、批量，特别是高品质的生产技术需要进一步提高。
国内外功率型白光LED技术指标对比（2007年12月）
分类 |
发光效率(lm/W) @350mA |
显色指数 |
|
目前国内产业水平 |
60～68 |
>80 |
|
“十五”末国内产业水平 |
30～40 |
>70 |
|
韩国、我国台湾地区 |
60～70 |
>80 |
|
美、日、欧 |
70～80 |
>80 |
( 数据来源：CSA/china-led.net）
值得注意的是，国际半导体照明核心专利的纠纷开始直接影响国内企业。美国相关研究机构最近通过申请“337调查”，开始利用专利制造贸易壁垒，已经直接涉及6家中国企业，这说明国内企业置身国际专利纠纷之外的境况已经改变，国内相关企业应该尽快调整专利战略。
2007年也是国内半导体照明产业投资迅速增加的一年，从中上游外延芯片、下游封装应用到相关材料和辅助产业的投资都有很大的增长。据不完全统计，2007年国内半导体照明产业相关新增投资近40亿元，而规划中的投资则超过150亿以上。同时企业融资渠道呈现出多元化趋势，引进战略投资、风险投资、境外上市、借壳上市、收购兼并等资本运作方式必将带来我国产业格局的新变化。
