主题：硅、硅锗、砷化镓的对比

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·硅锗与硅和砷化镓的对比

SiGe相比Si和GaAs具有四大优点：由于能量势垒较小，因而功耗较低，开关速度较高；低频和射频范围的噪声系数较低；由于功率输出大，有可能进行崭新的设计；整个制造过程可采用经济有效的解决方案，因为SiGe制造工艺保留了硅制造工艺的大部分成本经济性。

·砷化镓与硅的比较

砷化镓复合物一直被认为是Si最强大竞争对手的原因：GaAs集成电路的工作速度高于硅集成电路，原因是GaAs的低场电子迁移率要大于硅，同时GaAs的饱和场低于硅的饱和场；GaAs禁带宽度要比硅的禁带宽度大三个数量级，这样GaAs可做成半绝缘的，用半绝缘GaAs衬底做成的器件可减少寄生电容，其速度比硅还要快；GaAs是一种直接带材料，并能发射光，适于制作激光器、发光二极管和微波发射器。

硅比砷化镓具有几个明显的优点：硅可以把自己的氧化物形式用做绝缘体，这种绝缘体起着掩模的作用，对硅提供保护，而砷化镓却无此能力，因而GaAs器件较难制造，而且造价较高；硅的导热能力是砷化物的 2.75 倍，因此，用硅电路可实现的封装密度要高于GaAs电路；砷化物是剧毒的，因而即使用量极少，也会在处置和清除GaAs产品方面产生各种问题；硅是地球上最丰富的元素（仅次于氧），而砷化镓却极其稀少，获取要困难得多。